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光氧化技術

光催化氧化技術已成熟應用于低濃度惡臭污染場所的空氣凈化中。所謂光催化氧化反應（見光催化氧化原理圖），就是讓波長為100nm~300nm的紫外線或其他一定能量的關照射光敏半導體催化劑時，激發半導體的價帶電子發生帶間躍遷，即從價帶躍遷到導帶，從而產生光生電子（e-）和空穴（h+）。

此時吸附在納米顆粒表面的溶解氧俘獲電子形成超氧負離子，而空穴將吸附在催化劑表面的氫氧根離子和水氧化成氫氧自由基。而超氧負離子和氫氧自由基具有很強的氧化性，能使有機污染物氧化分解，如果保證足夠的停留時間，能氧化最終的產物CO2和H2O

光催化氧化技術優點

（1）反應條件溫和，常溫常壓下即可進行。無需再另外添加任何氧化劑如臭氧（O3）、H2O2等化學藥劑，避免了進一步的化學污染，并降低了成本；

（2）能耗低；

（3）基本上無二次污染

（4）適用性廣

（5）在處理污水站惡臭廢氣過程中，同時具有殺菌作用。工藝及設備簡單、占地面積小、易于操作控制。